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NESG3032M14-T3-A(YFB) Renesas Electronics Corporation ![]() ![]() 购买 | 928000 1起订 1-3周 | 1+ 2501+ 5358+ | ¥14.63 ¥5.13 ¥4.39 |
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NESG3032M14-T3-A California Eastern Laboratories (CEL) RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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数据列表 | NESG3032M14 |
---|---|
标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 4.3V |
频率 - 跃迁 | - |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 0.6dB @ 2GHz |
增益 | 17.5dB |
功率 - 最大值 | 150mW |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 6mA,2V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 35mA |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 4L2MM,M14 |