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NE3515S02-T1D-A|CEL
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制造商型号: NE3515S02-T1D-A
制造商: CEL
描述: 射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
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产品信息
制造商:CEL
产品种类:射频GaAs晶体管
RoHS: 符合
技术类型:HEMT
频率:12 GHz
增益:12.5 dB
噪声系数:0.3 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :70 mS
漏源电压 VDS:4 V
闸/源击穿电压:- 3 V
漏极连续电流:88 mA
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:165 mW
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:S0-2
P1dB:14 dBm
封装:Reel
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