您现在的位置:首页 > NE350184C-T1
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: NE350184C-T1
制造商: CEL
描述: 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:CEL
产品种类:射频GaAs晶体管
RoHS: 符合
技术类型:HEMT
频率:20 GHz
增益:13.5 dB
噪声系数:0.7 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :40 mS
漏源电压 VDS:4 V
闸/源击穿电压:- 3 V
漏极连续电流:70 mA
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:165 mW
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Micro-X Ceramic (84 C)
封装:Reel
工厂包装数量:5000
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095