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制造商型号： NE350184C-T1
制造商： CEL
描述： 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:CEL
产品种类:射频GaAs晶体管
RoHS: 符合
技术类型:HEMT
频率:20 GHz
增益:13.5 dB
噪声系数:0.7 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :40 mS
漏源电压 VDS:4 V
闸/源击穿电压:- 3 V
漏极连续电流:70 mA
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:165 mW
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Micro-X Ceramic (84 C)
封装:Reel
工厂包装数量:5000
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