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NDS351N|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: NDS351N
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
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产品信息
数据列表 NDS351N
产品相片 SOT-23-3
PCN Design/Specification Mold Compound 08/April/2008
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.1A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)140pF @ 10V
功率 - 最大值460mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装3-SSOT
其它名称NDS351NTR
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