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MTD6N20ET4|ON Semiconductor
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制造商型号: MTD6N20ET4
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
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产品信息
数据列表 MTD6N20E
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装  10
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)700 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)480pF @ 25V
功率 - 最大值1.75W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK-3
其它名称MTD6N20ET4OSCT
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