数据列表 | MMIX1F360N15T2 |
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标准包装 | 20 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ HiPerFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 235A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.4 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 715nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 47500pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 680W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 24-SMPD |