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MJD122G|ON Semiconductor
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制造商型号: MJD122G
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
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产品信息
数据列表 MJD122,127
产品相片 TO-263
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路
系列-
包装  管件  
晶体管类型NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)8A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)4V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)10µA
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 4A,4V
功率 - 最大值1.75W
频率 - 跃迁4MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK-3
产品目录页面1561 (CN2011-ZH PDF)
其它名称MJD122G-ND
MJD122GOS
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