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MIXA61H1200ED|Ixys
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制造商型号： MIXA61H1200ED
制造商： Ixys
描述： IGBT 模块 IGBT XPT Module H Bridge
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产品信息
制造商:IXYS
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:1.8 V
在25 C的连续集电极电流:85 A
栅极—射极漏泄电流:500 nA
功率耗散:290 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:E2-Pack
封装:Bulk
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT
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