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制造商型号: KSP8599CTA_Q
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
配置:Single
晶体管极性:PNP
集电极—基极电压 VCBO:- 60 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:0.5 A
增益带宽产品fT:150 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 1 mA at 5 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92
集电极连续电流:- 0.5 A
最大功率耗散:625 mW
最小工作温度:- 55 C
封装:Ammo
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