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KSP13BU_Q
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
KSP13BU_Q
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Fairchild Semiconductor
RoHS:
否
配置:
Single
晶体管极性:
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
10 V
集电极—基极电压 VCBO:
30 V
最大直流电集电极电流:
0.5 A
最大集电极截止电流:
0.1 uA
功率耗散:
625 mW
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92
封装:
Bulk
集电极连续电流:
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
5000
询价
*所需产品:
型号: KSP13BU_Q 品牌: Fairchild Semiconductor 备注: 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
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备注内容:
电脑版
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电话:
400-900-3095