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IXZH08N120
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
IXZH08N120
制造商:
IXYS RF
描述:
场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
晶体管类型: RF MOSFET
漏源电压, Vds: 1.2kV
电流, Id 连续: 8A
功耗, Pd: 300W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-247AD
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
上升时间: 4ns
功耗, Pd: 300W
功耗最大值: 300W
在电阻RDS(上): 2.1ohm
封装/箱盒: TO-247AD
封装类型: TO-247AD
封装类型, 其它: SOT-249
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
晶体管极性: N沟道
电压 Vgs @ Rds on 测量: 20V
电压, Vds 典型值: 1.2kV
电容值, Ciss 典型值: 1960pF
电流, Idm 脉冲: 40A
表面安装器件: 通孔
阈值电压, Vgs th 典型值: 6.5V
产地: US United States
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型号: IXZH08N120 品牌: IXYS RF 备注: 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
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