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产品信息
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场效应管 MOSFET N RF DE375
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晶体管类型:
RF MOSFET
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漏源电压, Vds:
1.2kV
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电流, Id 连续:
8A
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功耗, Pd:
880W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
175°C
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封装类型:
DE375
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
5ns
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功耗, Pd:
880W
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功耗最大值:
880W
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在电阻RDS(上):
2.1ohm
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封装/箱盒:
DE-375
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封装类型:
DE-375
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工作温度范围:
-55°C 至 +175°C
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工作频率范围:
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晶体管极性:
N沟道
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
20V
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电压, Vds 典型值:
1.2kV
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电容值, Ciss 典型值:
1960pF
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阈值电压, Vgs th 典型值:
6.5V
产地:
US
United States
询价