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IXTT30N50P|IXYS
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制造商型号: IXTT30N50P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
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产品信息
数据列表 IXT(H,Q,T,V)30N50P(S)
产品相片 IXTT30N50P
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarHV™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)200 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4150pF @ 25V
功率 - 最大值460W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商器件封装TO-268
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