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制造商型号: IXTP7N60
制造商: IXYS
描述: MOSFET,N沟道,600V,7A,TO220
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间65 ns
典型接通延迟时间20 ns
典型栅极电荷@Vgs20 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1080 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.83mm
封装类型TO-220
尺寸10.66 x 4.83 x 9.15mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散150000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值1.1 Ω
最大连续漏极电流7 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.66mm
高度9.15mm
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