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IXTP3N100D2|IXYS
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制造商型号: IXTP3N100D2
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
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产品信息
数据列表 IXT(A,P)3N100D2
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.5 欧姆 @ 1.5A,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)37.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1020pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
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