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IXTN600N04T2|Ixys
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制造商型号： IXTN600N04T2
制造商： Ixys
描述： 功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
产品:MOSFET Gate Drivers
激励器数量:Single
上升时间:20 ns
下降时间:250 ns
输出电流:600 A
电源电流:200 A
最大功率耗散:940 W
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
类型:TrenchT2 GigaMOS
最大关闭延迟时间:90 ns
最大开启延迟时间:40 ns
最小工作温度:- 55 C
输出端数量:1
输出电压:40 V
封装:Tube
商标名:TrenchT2 GigaMOS
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