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IXTM21N50|Ixys
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制造商型号： IXTM21N50
制造商： Ixys
描述： MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:500 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:21 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:250 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-204AE
封装:Tube
下降时间:30 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :21 s
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:300 W
上升时间:33 ns
工厂包装数量:20
典型关闭延迟时间:65 ns
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