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IXTH21N50 IXYS Corporation MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS: Compliant 搜索 |
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IXTH21N50 IXYS Corporation Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD RoHS: Compliant | pbFree: No 搜索 |
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IXTH21N50 IXYS Corporation Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD RoHS: Compliant 搜索 |
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型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
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IXTH21N50 IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 查看详细 |
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IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH) 型号:IXTH21N50 仓库库存编号:IXTH21N50-ND | 无铅 | |
IXYS MOSFET N-CH TO-247 详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXTH) 型号:IXTH21N50Q 仓库库存编号:IXTH21N50Q-ND | 无铅 |
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数据列表 | IXTH/IXTM 21N50, 24N50 |
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产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | MegaMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 21A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 250 毫欧 @ 10.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 190nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AD |