型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IXTA1R6N100D2 库存编号:IXTA1R6N100D2-ND Littelfuse Inc ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ 50+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ | ¥60.05 ¥31.08 ¥28.28 ¥23.38 ¥21.8 ¥21.71 |
IXTA1R6N100D2HV 库存编号:IXTA1R6N100D2HV-ND Littelfuse Inc ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ 50+ 100+ 500+ | ¥80.23 ¥49.81 ¥42.37 ¥34.82 |
IXTA1R6N100D2-TRL 库存编号:5656-IXTA1R6N100D2-TRLTR-ND Littelfuse Inc ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 800起订 6-10天 | 800+ | ¥21.71 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IXTA1R6N100D2HV 库存编号:747-IXTA1R6N100D2HV IXYS Corporation ![]() ![]() 购买 | 1 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 50+ 100+ 250+ 500+ | ¥77.65 ¥76.11 ¥48.22 ¥41.01 ¥40.9 ¥34.51 |
IXTA1R6N100D2 库存编号:747-IXTA1R6N100D2 IXYS Corporation ![]() ![]() 询价 | 0 1起订 6-10天 | 1+ 50+ 100+ 250+ 500+ | ¥56.97 ¥31.68 ¥29.2 ¥28.72 ¥27.42 |
IXTA1R6N100D2-TRL 库存编号:747-IXTA1R6N100D2TRL IXYS Corporation ![]() ![]() 询价 | 0 800起订 6-10天 | 800+ | ¥20.57 |
型号/制造商 |
IXTA1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IXTA1R6N100D2 IXYS Corporation Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
IXTA1R6N100D2 IXYS ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
![]() | IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA) 型号:IXTA1R6N100D2 仓库库存编号:IXTA1R6N100D2-ND | 无铅 |
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数据列表 | IXT(Y,A,P)1R6N100D2 |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 耗尽模式 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.6A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 10 欧姆 @ 800mA,0V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 645pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 100W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263AA |