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IXT-1-1N100S1-TR IXYS ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IXT-1-1N100S1 T/R IXYS | IXT 系列 单 N沟道 1000 V 1.5 A 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8![]() 暂无PDF 查看详细 |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 8-SOIC 型号:IXT-1-1N100S1-TR 仓库库存编号:IXT-1-1N100S1-TR-ND | 无铅 |
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产品相片 | 8-SOIC |
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标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | - |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC |
供应商器件封装 | 8-SOIC |