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IXFN26N120P|Ixys
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制造商型号： IXFN26N120P
制造商： Ixys
描述： MOSFET 26 Amps 1200V
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:1200 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:23 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:460 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
封装:Tube
下降时间:58 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:695 W
上升时间:55 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:76 ns
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