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IXFH18N100Q3|IXYS
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制造商型号: IXFH18N100Q3
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
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产品信息
数据列表 IXFx18N100Q3
产品相片 TO-247-3
特色产品 Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HiPerFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)18A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)660 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4890pF @ 25V
功率 - 最大值830W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247
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