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IXFB170N30P|IXYS
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制造商型号: IXFB170N30P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH TO-264
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产品信息
数据列表 IXFB170N30P
产品相片 TO-264
标准包装  25
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Polar™ HiPerFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)170A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)18 毫欧 @ 85A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)258nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)20000pF @ 25V
功率 - 最大值1250W
安装类型通孔
封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装PLUS264?
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