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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRLU2905ZPBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRLR2905Z Saber Model IRLR2905Z Spice Model |
| PCN Assembly/Origin | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 42A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 13.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 110W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 产品目录页面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRLU2905ZPBF |
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