声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET N D-PAK
-
晶体管极性:
N沟道
-
电流, Id 连续:
84A
-
漏源电压, Vds:
25V
-
在电阻RDS(上):
5.6mohm
-
电压 @ Rds测量:
10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
1.8V
-
功耗, Pd:
68W
-
工作温度最小值:
-55°C
-
工作温度最高值:
175°C
-
封装类型:
TO-252
-
针脚数:
3
-
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
-
封装/箱盒:
DPAK
-
工作温度范围:
-55°C 至 +175°C
-
漏极电流, Id 最大值:
84A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
-
电压, Vds 典型值:
25V
-
电压, Vgs 最高:
20V
-
电流, Idm 脉冲:
340A
-
电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值:
13nC
-
表面安装器件:
SMD
产地:
MY
Malaysia
询价