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IRLR3303TRPBF Infineon Technologies AG MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak 型号:IRLR3303TRPBF 仓库库存编号:IRLR3303PBFCT-ND 别名:*IRLR3303TRPBF <br>IRLR3303PBFCT <br> | 无铅 |
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数据列表 | IRLR/U3303PbF |
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产品相片 | TO-263 |
设计资源 | IRLR3303 Saber Model IRLR3303 Spice Model |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 31 毫欧 @ 21A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 870pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 68W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
产品目录页面 | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IRLR3303PBFTR IRLR3303TRPBF-ND IRLR3303TRPBFTR-ND |