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IRLR110TRR|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRLR110TRR
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
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产品信息
数据列表 IRLR110, IRLU110
产品相片 TO-263
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)540 毫欧 @ 2.6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)250pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
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