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产品信息
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场效应管 MOSFET N MICRO-6
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
6.5A
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漏源电压, Vds:
20V
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在电阻RDS(上):
30mohm
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电压 @ Rds测量:
4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1.2V
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功耗, Pd:
2W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
μSOIC
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD标号:
2G
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功耗, Pd:
2W
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功耗, Pd:
2W
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外宽:
3.00mm
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外部深度:
3.00mm
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外部长度/高度:
1.45mm
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封装/箱盒:
Micro6
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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时间, trr 典型值:
11ns
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栅极电荷 Qg N沟道:
15nC
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
6.5A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
4.5V
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电压, Vds:
20V
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电压, Vds 典型值:
20V
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电压, Vgs 最高:
12V
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电容值, Ciss 典型值:
1310pF
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电流, Idm 脉冲:
20A
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电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值:
15nC
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结温, Tj 最大值:
150°C
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结温, Tj 最小值:
-55°C
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通态电阻 @ Vgs = 2.5V:
45mohm
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通态电阻 @ Vgs = 4.5V:
30mohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
0.6V
产地:
MY
Malaysia
询价