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IRLMS2002PBF|INTERNATIONAL RECTIFIER
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制造商型号: IRLMS2002PBF
制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER
描述: 场效应管 MOSFET N MICRO-6
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N MICRO-6
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 6.5A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 30mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.2V
  • 功耗, Pd: 2W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: μSOIC
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: 2G
  • 功耗, Pd: 2W
  • 功耗, Pd: 2W
  • 外宽: 3.00mm
  • 外部深度: 3.00mm
  • 外部长度/高度: 1.45mm
  • 封装/箱盒: Micro6
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, trr 典型值: 11ns
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 15nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 6.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds: 20V
  • 电压, Vds 典型值: 20V
  • 电压, Vgs 最高: 12V
  • 电容值, Ciss 典型值: 1310pF
  • 电流, Idm 脉冲: 20A
  • 电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值: 15nC
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 45mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 30mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 0.6V
产地: MY Malaysia
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