声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET N MICRO-6
-
晶体管极性:
N沟道
-
电流, Id 连续:
3.2A
-
漏源电压, Vds:
20V
-
在电阻RDS(上):
100mohm
-
电压 @ Rds测量:
4.5V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
700mV
-
功耗, Pd:
1.7W
-
工作温度最小值:
-55°C
-
工作温度最高值:
150°C
-
封装类型:
μSOIC
-
针脚数:
6
-
MSL:
MSL 2 - 1年
-
SVHC(高??关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
-
SMD标号:
2A
-
功耗, Pd:
1.7W
-
功耗, Pd:
1.7W
-
外宽:
3.00mm
-
外部深度:
3.00mm
-
外部长度/高度:
1.45mm
-
封装/箱盒:
Micro6
-
工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
-
时间, trr 典型值:
40ns
-
栅极电荷 Qg N沟道:
4.7nC
-
温度 @ 电流测量:
25°C
-
满功率温度:
25°C
-
漏极电流, Id 最大值:
3.2A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
4.5V
-
电压, Vds:
20V
-
电压, Vds 典型值:
20V
-
电压, Vgs 最高:
12V
-
电压变化率 dv/dt:
5V/ns
-
电容值, Ciss 典型值:
300pF
-
电流, Idm 脉冲:
18A
-
电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值:
37nC
-
结温, Tj 最大值:
150°C
-
结温, Tj 最小值:
-55°C
-
阈值电压, Vgs th 最低:
700mV
产地:
MY
Malaysia
询价