标准包装 : | 80 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 75A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.3 毫欧 @ 140A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 200nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 5730pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 330W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-261-4, TO-261AA |
供应商设备封装 : | SOT-223 |
包装 : | 管件 |