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IRLL014|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRLL014
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
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产品信息
数据列表 IRLL014
产品相片 SOT223-3L
产品目录绘图 IR(F,L)L Series Top
IR(F,L)L Series Side
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)200 毫欧 @ 1.6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)400pF @ 25V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223
产品目录页面1527 (CN2011-ZH PDF)
其它名称*IRLL014
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