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制造商型号: IRLHS6242TR2PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,20V,10A,HEXFET,PQFN6EP
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间19 ns
典型接通延迟时间5.8 ns
典型栅极电荷@Vgs14 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds1110 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度2.1mm
封装类型PQFN
尺寸2.1 x 2.1 x 0.95mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散9.6 W
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值15.5 mΩ
最大连续漏极电流22 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极
长度2.1mm
高度0.95mm
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