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IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies AG MOSFET MOSFT PCh -30V -8.5A 31mOhm -4.5V cpbl RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN 详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.2A(Ta),15A(Tc) 2.1W(Ta),9.6W(Tc) 6-PQFN(2x2) 型号:IRLHS2242TR2PBF 仓库库存编号:IRLHS2242TR2PBFCT-ND 别名:IRLHS2242TR2PBFCT <br> | 无铅 |
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| 制造商零件编号: IRLHS2242TR2PBF 品牌: Infineon 库存编号: 760-4422 |
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典型关断延迟时间 | 54 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 12 nC V @ -10 | |
典型输入电容值@Vds | 877 pF V @ -10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 2.1mm | |
封装类型 | PQFN | |
尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 9.6 W | |
最大栅源电压 | ±12 V | |
最大漏源电压 | -20 V | |
最大漏源电阻值 | 53 mΩ | |
最大连续漏极电流 | -15 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 四漏极 | |
长度 | 2.1mm | |
高度 | 0.95mm |