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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRLD120PB
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，100V，1.3A，HVMDIP4
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，100V，1.3A，HVMDIP4
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 490 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 6.29mm | |
| 封装类型 | HexDIP，HVMDIP | |
| 尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.27 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.3 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 3.37mm |
询价