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IRLD110|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRLD110
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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产品信息
数据列表 IRLD110
产品相片 IRFD9010PBF
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)540 毫欧 @ 600mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)250pF @ 25V
功率 - 最大值1.3W
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP
其它名称*IRLD110
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