![IRFR120ZPBF|INTERNATIONAL RECTIFIER](//upload.szcwdz.com/kucunpic/2/24508.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
8.7A
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漏源电压, Vds:
100V
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在电阻RDS(上):
190mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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功耗, Pd:
35W
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封装类型:
TO-252
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针脚数:
3
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SVHC(高度关??物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
DPAK
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漏极电流, Id 最大值:
8.7A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
100V
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电压, Vgs 最高:
4V
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表面安装器件:
SMD
产地:
MX
Mexico
询价