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制造商型号: IRFR1018EPB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,60V,79A,HEXFET,DPAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间55 ns
典型接通延迟时间13 ns
典型栅极电荷@Vgs46 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2290 pF V @ 50
安装类型表面贴装
宽度6.22mm
封装类型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散110000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.008 Ω
最大连续漏极电流79 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.73mm
高度2.39mm
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