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IRFIB7N50LPBF|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRFIB7N50LPBF
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
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产品信息
数据列表 IRFIB7N50L,SiHFIB7N50L
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.8A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)380 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2220pF @ 25V
功率 - 最大值46W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装TO-220-3
其它名称*IRFIB7N50LPBF
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