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IRFI830GPBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRFI830GPBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak - Bulk (Alt: IRFI830GPBF) RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRFI830GPBF Vishay Intertechnologies MOSFET, N, 500V, 3.1A, TO-220FP
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP 详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3 型号:IRFI830GPBF 仓库库存编号:IRFI830GPBF-ND 别名:*IRFI830GPBF <br> | 无铅 |
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![]() | Vishay MOSFET N, 500 V 3.1 A 32 W TO-220FP, IRFI830GPBF, Vishay 型号:IRFI830GPBF 仓库库存编号:171-16-635 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRFI830GPBF.![]() | 8649014 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V ![]() |
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数据列表 | IRFI830G |
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产品相片 | TO-220AB |
产品目录绘图 | IR(L,F)I Series Side 1 IR(L,F)I Series Side 2 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 610pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 35W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
产品目录页面 | 1529 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRFI830GPBF |