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IRFHM830TR2PBF|International Rectifier
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制造商型号: IRFHM830TR2PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
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产品信息
数据列表 IRFHM830PbF
产品相片 IRFHM830DTR2PBF
设计资源 IRFHM830TR2PBF Saber Model
IRFHM830TR2PBF Spice Model
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)21A (Ta), 40A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2155pF @ 25V
功率 - 最大值2.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装PQFN(3x3)
其它名称IRFHM830TR2PBFCT
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