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制造商型号: IRFHM830DTR2PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,30V,20A,HEXFET,PQFN8EP
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间9.1 ns
典型接通延迟时间9.8 ns
典型栅极电荷@Vgs27 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1797 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度3.3mm
封装类型PQFN
尺寸3.3 x 3.3 x 1mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散37 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值7.1 mΩ
最大连续漏极电流40 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、三源
长度3.3mm
高度1mm
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