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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRFH7911TR2PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，30V，13A/28A，HEXFET，PQFN18EP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，30V，13A/28A，HEXFET，PQFN18EP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 12（晶体管 1）ns，28（晶体管 2）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12（晶体管 1）ns，22（晶体管 2）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 4.5 V（晶体管 2），8.3 nC @ 4.5 V（晶体管 1） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1060 pF @ 15 V（晶体管 1），4450 pF @ 15 V（晶体管 2） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 封装类型 | PQFN EP | |
| 尺寸 | 6 x 5 x 0.95mm | |
| 引脚数目 | 18 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.4（晶体管 1） W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.003（晶体管 2）Ω，0.009（晶体管 1）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 13（晶体管 1）A，28（晶体管 2）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 0.95mm |
询价