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IRFH5306TR2PBF Infineon Technologies AG MOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),44A(Tc) 3.6W(Ta),26W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘 型号:IRFH5306TR2PBF 仓库库存编号:IRFH5306TR2PBFCT-ND 别名:IRFH5306TR2PBFCT <br> | 无铅 |
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典型关断延迟时间 | 9.1 ns | |
典型接通延迟时间 | 9 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 7.8 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 1125 pF V @ 15 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 5mm | |
封装类型 | PQFN | |
尺寸 | 6 x 5 x 0.9mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3.6 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 13.3 mΩ | |
最大连续漏极电流 | 15 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四漏极、单、三源 | |
长度 | 6mm | |
高度 | 0.9mm |