数据列表 | IRFH5250DPBF |
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产品相片 | 8-QFN |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFH5250DTR2PBF Saber Model IRFH5250DTR2PBF Spice Model |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.4 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 83nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6115pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
其它名称 | IRFH5250DTRPBF-ND IRFH5250DTRPBFTR |