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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRFH5110TRPBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | IRFH5110PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFH5250TR2PBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFH5110TR2PBF Saber Model IRFH5110TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A （Ta）， 63A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 12.4 毫欧 @ 37A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3152pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
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