型号/制造商 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
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型号/制造商 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC RoHS: Compliant 搜索 |
型号/制造商 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin QFN EP T/R - Tape and Reel (Alt: IRFH5020TRPBF) RoHS: Compliant 搜索 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin QFN EP T/R (Alt: IRFH5020TRPBF) RoHS: Compliant 搜索 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin QFN EP T/R (Alt: IRFH5020TRPBF) RoHS: Compliant 搜索 |
型号/制造商 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant 搜索 |
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型号/制造商 |
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies AG MOSFET, N-CH, 200V, 34A, PQFN-8
搜索 |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
IRFH5020TRPBF International Rectifier | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRFH5020TRPBF | 2580002 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V (EN) |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
IRFH5020TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN 暂无PDF 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
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数据列表 | IRFH5020PBF |
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产品相片 | 8-QFN |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.1A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 55 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 150µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 54nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2290pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VQFN |
供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |