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IRFD9113|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRFD9113
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
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产品信息
产品相片 IRFD9010PBF
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)600mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)250pF @ 25V
功率 - 最大值1W
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP
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