型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IRFD9110PBF 库存编号:IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 1900 50起订 1-3周 | 50+ | ¥11.68 |
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IRFD9110PBF 库存编号:IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 185 1起订 1-3周 | 1+ 10+ 100+ 200+ 500+ 1000+ | ¥22.45 ¥10.8 ¥8.68 ¥8.1 ¥7.37 ¥6.82 |
型号/制造商 |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD9110PBF) RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP (Alt: IRFD9110PBF) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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型号/制造商 |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies MOSFET, P, DIL
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型号/制造商 |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRFD9110PBF Vishay Intertechnologies MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free 搜索 ![]() ![]() |
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IRFD9110PB Vishay ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | IRFD9110PB Vishay | MOSFET,P沟道,100V,0.7A,HVMDIP4![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | IRFD9110PBF VISHAY | 单 P 沟道 100 V 1.2 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4![]() ![]() 查看详细 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP 详细描述:通孔 P 沟道 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD9110PBF 仓库库存编号:IRFD9110PBF-ND 别名:*IRFD9110PBF <br> | 无铅 |
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![]() | IRFD9110PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP![]() ![]() 查看详细 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRFD9110PBF.![]() | 9103236 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V ![]() |
IRFD9110PBF![]() | 1350867 | VISHAY 场效应管, MOSFET, P沟道 ![]() |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | |
![]() | Siliconix / Vishay MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP 型号:IRFD9110PBF 仓库库存编号:70459449 | ![]() |
![]() | Vishay PCS MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 1.2 Ohms; ID -0.7A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V 型号:IRFD9110PBF 仓库库存编号:70078899 | ![]() |
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![]() | IRFD9110PB Vishay | MOSFET,P沟道,100V,0.7A,HVMDIP4![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | IRFD9110PBF VISHAY | 单 P 沟道 100 V 1.2 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4![]() ![]() 查看详细 |
![]() | IRFD9110PBF Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | IRFD9110PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP![]() ![]() 查看详细 |
![]() | IRFD9110PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET P DIL![]() ![]() 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 15 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 8.7 常闭 V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 200 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 6.29mm | |
封装类型 | HexDIP,HVMDIP | |
尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.3 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 0.7 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 3.37mm |