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IRFD9110|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRFD9110
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
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产品信息
数据列表 IRFD9110
产品相片 IRFD9010PBF
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)700mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 420mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)200pF @ 25V
功率 - 最大值1.3W
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP
其它名称*IRFD9110
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