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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRFD224
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | IRFD224 |
|---|---|
| 产品相片 | IRFD9010PBF |
| 标准包装 | 100 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 630mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.1 欧姆 @ 380mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 260pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD224 |
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